電力電子器件是指用半導體材料制成的大功率電子器件，20 世紀50 年代以來，已發(fā)展了不同類型的器件，并大致可以按照控制程度、載流子類型、集成度或按芯片材料等方法進行分類。

在高壓變頻器中，常用的電力電子器件主要有電力二極管、晶閘管、GTO 晶閘管、IGBT 、IGET 、IGCT 等。

電力二極管由于沒有控制極，屬于不控型器件；晶閘管屬于半控型器件；而上述其他能用控制信號對器件的導通與關(guān)斷進行控制的器件稱為全控型器件，或稱為自關(guān)斷器件。在全控型器件中，電流控制型器件需從控制極注人和抽取電流來實現(xiàn)器件的通斷，控制功率較大，典型器件為GTR 。電壓型器件可通過在其控制極加上或撤去控制電壓而實現(xiàn)器件通斷，在其穩(wěn)定導通時，基極無電流，故平均控制功率很小，由于電壓控制型器件是通過控制極電壓在主電極上建立電場來控制器件通斷，通常稱為場控或場效應(yīng)器件。

根據(jù)器件在導通時參與導電的載流子的類型，所有的器件可以分為單極型、雙極型和復合型三大類：只有一種載流子參與導電的器件稱為單極型器件，如電力MOSFET ；自由電子和空穴兩種載流子都參與導電的器件稱為雙極型器件，如GTR ；由前兩類器件復合而成的器件則稱為復合型器件，如IGBT 。

目前用來制造器件的材料絕大部分為硅。碳化硅作為一種新材料，實驗證明，其在損耗、耐壓和耐高溫等方面均優(yōu)于硅材料，更適合于制造電力電子器件，目前已有碳化硅勢壘二極管問世，但還存在價格和加工工藝等問題。隨著半導體制造技術(shù)的不斷發(fā)展、電力電子器件性能的不斷提高，有理由相信將大大促進包括變頻調(diào)速技術(shù)在內(nèi)的電力電子技術(shù)的發(fā)展。