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IGBT的動態(tài)特性

點擊次數(shù):更新時間:2013-05-03 09:05:35來源:南陽防爆電機

在實際應(yīng)用中,以集電極Ic 的動態(tài)波形來確定IGBT 的開關(guān)時間。 1 .開通過程 從IGBT 的簡圖來看,IGBT 實質(zhì)上可以認(rèn)為是MOSFET 驅(qū)動的GTR ,其開通過程大部分時間是作為MOSFET 來運行的

在實際應(yīng)用中,以集電極Ic 的動態(tài)波形來確定IGBT 的開關(guān)時間。
1 .開通過程
從IGBT 的簡圖來看,IGBT 實質(zhì)上可以認(rèn)為是MOSFET 驅(qū)動的GTR ,其開通過程大部分時間是作為MOSFET 來運行的,其余部分時間作為MOSFET 和GTR 共同運行。集電極電流ic 的開通時間ton 由開通延遲時間td(on)和電流上升時間tri組成。集射極之間的電壓uGE下降過程要比電流延遲一段時間,分為tfv1和tfv2 兩段,這是由于內(nèi)部MOSFET 和GTR 控制關(guān)系而出現(xiàn)的現(xiàn)象。
2 .關(guān)斷過程
當(dāng)施加反向控制電壓時,集電極電流ic下降也要延遲一段時間td(off ) ,其下降過程包括兩段時間tfi1和tfi2,其中tfi1對應(yīng)于IGBT 內(nèi)部的MOSFET 的關(guān)斷過程,該段時間比較短暫;tfi2 對應(yīng)于IGBT 內(nèi)部的PNP 晶體管的關(guān)斷過程,在此時間內(nèi),GTR 由于不承受反壓,故其基區(qū)內(nèi)的少子復(fù)合比較緩慢,造成集電極電流ic 下降較慢。

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